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Detalhes Referência

Tipo
Artigos em Revista

Tipo de Documento
Artigo Completo

Título
New Stress Activation Method for Kerfless Silicon Wafering Using Ag/Al and Epoxy Stress-Inducing Layers

Participantes na publicação
Bellanger P (Author)
Brito MC (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
IDL
Pera DM (Author)
Costa I (Author)
Gaspar G (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
IDL
Martini R (Author)
Serra JM (Author)

Data de Publicação
2014

Suporte
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS

Identificadores da Publicação
ISSN - 2156-3381

Volume
4
Fascículo
5

Página Inicial
1228
Página Final
1234

Identificadores do Documento
DOI - https://doi.org/10.1109/jphotov.2014.2334893


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APA
Bellanger P, Brito MC, Pera DM, Costa I, Gaspar G, Martini R, Serra JM, (2014). New Stress Activation Method for Kerfless Silicon Wafering Using Ag/Al and Epoxy Stress-Inducing Layers. IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 4, 1228-1234. ISSN 2156-3381. eISSN .

IEEE
Bellanger P, Brito MC, Pera DM, Costa I, Gaspar G, Martini R, Serra JM, "New Stress Activation Method for Kerfless Silicon Wafering Using Ag/Al and Epoxy Stress-Inducing Layers" in IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, vol. 4, pp. 1228-1234, 2014. 10.1109/jphotov.2014.2334893

BIBTEX
@article{34724, author = {Bellanger P and Brito MC and Pera DM and Costa I and Gaspar G and Martini R and Serra JM}, title = {New Stress Activation Method for Kerfless Silicon Wafering Using Ag/Al and Epoxy Stress-Inducing Layers}, journal = {IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS}, year = 2014, pages = {1228-1234}, volume = 4 }