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Detalhes Referência

Tipo
Artigos em Revista

Tipo de Documento
Artigo Completo

Título
Measurement of the dopant concentration in a semiconductor using the Seebeck effect

Participantes na publicação
J M Pó (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
M C Brito (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
IDL
J Maia Alves (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
IDL
J A Silva (Author)
IDL
J M Serra (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
IDL
A M Vallêra (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
SESUL

Data de Publicação
2013

Suporte
MEASUREMENT SCIENCE & TECHNOLOGY

Identificadores da Publicação
ISSN - 0957-0233

Volume
24
Fascículo
5

Página Inicial
55601

Identificadores do Documento
DOI - https://doi.org/10.1088/0957-0233/24/5/055601


Exportar referência

APA
J M Pó, M C Brito, J Maia Alves, J A Silva, J M Serra, A M Vallêra, (2013). Measurement of the dopant concentration in a semiconductor using the Seebeck effect. MEASUREMENT SCIENCE & TECHNOLOGY, 24, ISSN 0957-0233. eISSN .

IEEE
J M Pó, M C Brito, J Maia Alves, J A Silva, J M Serra, A M Vallêra, "Measurement of the dopant concentration in a semiconductor using the Seebeck effect" in MEASUREMENT SCIENCE & TECHNOLOGY, vol. 24, 2013. 10.1088/0957-0233/24/5/055601

BIBTEX
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