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Detalhes Referência

Tipo
Artigos em Revista

Tipo de Documento
Artigo Completo

Título
New doping method to obtain n-type silicon ribbons

Participantes na publicação
Silva JA (Author)
Platte B (Author)
Brito MC (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
IDL
Serra JM (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
IDL

Data de Publicação
2015

Suporte
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

Identificadores da Publicação
ISSN - 0022-0248

Editora
Elsevier BV

Volume
428

Página Inicial
29
Página Final
34

Identificadores do Documento
DOI - https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.07.008


Exportar referência

APA
Silva JA, Platte B, Brito MC, Serra JM, (2015). New doping method to obtain n-type silicon ribbons. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 428, 29-34. ISSN 0022-0248. eISSN .

IEEE
Silva JA, Platte B, Brito MC, Serra JM, "New doping method to obtain n-type silicon ribbons" in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 428, pp. 29-34, 2015. 10.1016/j.jcrysgro.2015.07.008

BIBTEX
@article{31264, author = {Silva JA and Platte B and Brito MC and Serra JM}, title = {New doping method to obtain n-type silicon ribbons}, journal = {JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH}, year = 2015, pages = {29-34}, volume = 428 }