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Detalhes Referência

Tipo
Artigos em Revista

Tipo de Documento
Artigo Completo

Título
Recrystallization of silicon polygonal tubes using an electric closed molten zone

Participantes na publicação
R. M Gamboa (Author)
M.C Brito (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
 IDL
 J. Maia Alves (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
 IDL
 J.M Serra (Author)
Dep. Engenharia Geográfica, Geofísica e Energia
 IDL
 A.M Vallêra (Author)
SESUL
Data de Publicação
2011

Suporte
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

Identificadores da Publicação
ISSN - 0022-0248

Editora
Elsevier Science

Volume
324
Fascículo
1

Página Inicial
26
Página Final
30

Identificadores do Documento
DOI - https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.03.037

Identificadores de Qualidade
Web Of Science Q3 (2011) - 1.726 - Crystallography
Web Of Science Q2 (2011) - 1.726 - Materials Science, Multidisciplinary
Web Of Science Q2 (2011) - 1.726 - Physics, Applied
SCIMAGO Q2 (2011) - 0.962 - Condensed Matter Physics
SCIMAGO Q2 (2011) - 0.962 - Inorganic Chemistry
SCIMAGO Q1 (2011) - 0.962 - Materials Chemistry

Keywords
Recrystallization Floating Zone technique Semiconducting silicon Solar cells


Exportar referência

APA
R. M Gamboa, M.C Brito, J. Maia Alves, J.M Serra, A.M Vallêra, (2011). Recrystallization of silicon polygonal tubes using an electric closed molten zone. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 324, 26-30. ISSN 0022-0248. eISSN .

IEEE
R. M Gamboa, M.C Brito, J. Maia Alves, J.M Serra, A.M Vallêra, "Recrystallization of silicon polygonal tubes using an electric closed molten zone" in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 324, pp. 26-30, 2011. 10.1016/j.jcrysgro.2011.03.037

BIBTEX
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