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Detalhes Referência

Tipo
Artigos em Revista

Tipo de Documento
Artigo Completo

Título
Effect of an Interfacial Oxide Layer in the Annealing Behaviour of Au/a-Si:H MIS Photodiodes

Participantes na publicação
H. Águas (Author)
L. Pereira (Author)
I. Ferreira (Author)
A. R. Ramos (Author)
A. S. Viana (Author)
Dep. Química e Bioquímica
J. Andreu (Author)
P. Vilarinho (Author)
E. Fortunato (Author)
R. Martins (Author)

Data de Publicação
2004

Suporte
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS

Identificadores da Publicação
ISSN - 0022-3093

Volume
338-340

Página Inicial
810
Página Final
813

Identificadores do Documento
DOI - https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2004.03.097


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APA
H. Águas, L. Pereira, I. Ferreira, A. R. Ramos, A. S. Viana, J. Andreu, P. Vilarinho, E. Fortunato, R. Martins, (2004). Effect of an Interfacial Oxide Layer in the Annealing Behaviour of Au/a-Si:H MIS Photodiodes. JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338-340, 810-813. ISSN 0022-3093. eISSN .

IEEE
H. Águas, L. Pereira, I. Ferreira, A. R. Ramos, A. S. Viana, J. Andreu, P. Vilarinho, E. Fortunato, R. Martins, "Effect of an Interfacial Oxide Layer in the Annealing Behaviour of Au/a-Si:H MIS Photodiodes" in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, vol. 338-340, pp. 810-813, 2004. 10.1016/j.jnoncrysol.2004.03.097

BIBTEX
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